Охлаждаемая ПЗС-матрица на видимый диапазон: диапазон чувствительности 0.2 - 1.1 мкм, максимальная квантовая эффек-тивность - 90%, размер матрицы - 1024x122 элементов, размер фоточувствительного элемента 24х24 мкм. InGaAs охлаждаемая ПЗС-матрица: диапазон чувствительности 0.9 - 1.7 мкм, максимальная квантовая эффективность - 70%, размер матрицы - 1024x1 элементов. 

Фотоэлектронный умножитель ИК-диапазона H9170-75: измере-ние кинетик ФЛ. Материал катода InP/InGaAs, диапазон измеряемых длин волн 950 - 1700 нм, временное разрешение 3 нс. Полоса пропускания широкополосного предусилителя 50 МГц.

Фотоэлектронный умножитель видимого диапазона: измерение кинетик ФЛ, диапазон измеряемых длин волн 400 - 900 нм, временное разрешение 1 нс. Гелиевый криостат замкнутого цикла: интервал температур 10-350К. 

Лазеры: азотный - длина волны 337 нм, ширина линии 0.1 нм, энергия в импульсе 400 мкДж, длительность импульса 800 пс. Эксимерный - рабочая смесь KrF, длина волны 248 нм, энергия в импульсе 40 мДж, длительность импульса 10 нс. Аргоновый - длины волн 457, 477, 488, 496, 502, 514 нм, мощности 30, 20, 80, 30, 10, 78 мВт соответственно. На парах меди - энергии фотонов 2.43 эВ и 2.14 эВ, длительность импульса 20 нс, частота 12 кГц, средняя мощность 2.5 Вт. Твердотельный с полупроводниковой накачкой на основе YAG:Nd - длина волны излучения 473 нм, макс. мощность 42 мВт. Полупроводниковый диодный - длина волны излучения 1534,25 нм. Гелий-неоновый - длина волны излучения 633 нм.