Установка для измерения электрофизических параметров наноматериалов
     
     
 
Установка для измерения электрофизических параметров наноматериалов

Установка для измерения электрофизических параметров наноматериалов

Технические характеристики:

Диапазон температур: T=4 K - 450 K. Точность определения температуры: 1 К. Диапазон частот при измерениях на перемен-ном сигнале: f=5 Гц - 13 МГц. Точность регулировки частоты переменного сигнала: 1 Гц. Диапазон подаваемых напряжений: U=0 В - 500 В. Диапазон измеряемых токов на постоянном сигнале: I=10 фА - 20 мА. Диапазон измерения сопротивления на переменном сигнале: R=1 Ом - 1 МОм. Диапазон измерения емкости: С=1пФ - 100мФ. Диапазон измерения индуктивности: L=100нГн - 1000Гн.

Вакуум до 10-5 Торр. Криостаты: минимальная темп.: Тmin=4.2 К Время охл. до Тmin: T=65 мин. Точн. контроля 0.001 К



Назначение: Электрофизических измерения параметров наноструктур в т.ч. при низких температурах.
Производитель:
Alcatel, Франция
Advanced Research Systems, Inc., США
Год выпуска: 2004

К списку оборудования


 
     
     


6