Бокс с контролем атмосферы в боксе и шлюзовой камере предназначен для синтеза и работы с материалами в условиях заданной газовой атмосферы, влажности и давления кислорода.
Содержание кислорода мене 1 ppm и влаги - менее 5 ppm.
Построение распределения частиц по размерам для коллоидных растворов и суспензий св интервале от 0,6 нм до 6 мкм.
Измерение дзета-потенциала частиц размером 5 нм - 10 мкм. Измерение абсолютной молекулярной массы в диапазоне от 1х103 до 2х107Дальтон. Возможность проведения измерений при высоких концентрациях пигментов, чернил, эмульсий. Высокая чувствительность позволяет производить измерения в сильно разбавленных растворах белков и полимеров.
Исследование абсорбционных свойств веществ и материалов (в т.ч. наноматериалов) в УФ/Вид./БлИК-области спектра
Спектральный диапазон 175 nm - 3300 нм. Разрешение - не менее 0,05 - 5,00 нм с шагом 0,01 нм (в УФ/Вид-диапазоне) и 0,20 - 20,00 нм с шагом 0,04 нм (в БлИК-диапазоне). Точность установки длины волны - не хуже 0,08 нм (в УФ/Вид-диапазоне) и 0,3 (в БлИК-диапазоне). Воспроизводимость установки длины волны - не хуже 0,02 нм (в УФ/Вид-диапазоне) и 0,08 (в БлИК-диапазоне). Фотометрический диапазон - не менее 8А. Фотометрическая точность - не хуже 0,0006А (при 1А) и 0,0003А (при 0,5А). Фотометрическая воспроизводимость - не хуже 0,00016А (при 1А) и 0,00008А (при 0,5А). Фотометрическая линейность (щель 2 мм, время интегрирования - 1 мин) - не хуже 0,006А (при 1А) и 0,020А (при 3А). Фотометрический шум - не более 0,00010А (при 0А, 190 нм), 0,00005А нм (при 0А, 500 нм), 0,00004А (при 0А, 1500 нм), 0,00500А (при 6А, 500 нм).
Исследование структурных свойств и фононного спектра материалов, в том числе наноматериалов методом рамановской спектроскопии.
Спектрометр inVia Reflex: фокусное расстояние 250 мм, размер пятна лазера 1 - 300 мкм, дифракционные монохроматоры 3600, 2400 и 1200 штрихов/мм, CCD-детектор 576х384 пикселей с Пельтье-охлаждением до -70 С. Конфокальный микроскоп Leica DMLM с разрешением до 2,5 мкм. Лазеры 785, 633, 514 и 244 нм. Высокотемпературный предметный столик (до 1500 С).
Комплект лазеров и дополнительных комплектующих для имеющегося Рамановского спектрометра Renishaw в комплексе Рамановский спектрометр/микроскоп Renishaw InVia Reflex
Исследование элементного состава (включая изотопный состав) материалов
Исследование элементного состава (включая изотопный состав) материалов, в т.ч. наноматериалов, Определение количественного состава по всем элементам, кроме H,C,N,O,F,Cl,) за один аналитический прогон с пределами обнаружения на уровне 0.1-5 ppt (0.1-5 10-6 мг/л). Кратковременная стабильность системы (RSD) при количественном анализе образцов с содержанием 1 мкг/л 4-6 элементов в течение 1 часа не более 2%. Долговременная стабильность системы (RSD при количественном анализе образцов с содержанием 1 мкг/л 4-6 элементов в течении 4 часов не более 3%.
Проведение рентгенофазового и рентгенографического анализа веществ и материалов, в т.ч. наноструктурированных, в т.ч. при повышенных темп. до 1500С.
Порошковый рентгеновский дифрактометр с вращающимся анодом Rigaku D/MAX-2500 PC
Комплексная система хранения и обработки экспериментальных данных с системой коммутации
Комплект дополнительного оборудования и запасных частей для рентгеновского дифрактометра с вращающимся анодом
Мощность излучения 18 kW, шаг сканирования 0,01о; интервал 2Θ 1-120 о; координатный детектор, температуры образца во время съемки - от 25 оС до 1500 оС и комплексом приставок, обеспечивающих полный набор рентгенографических методов исследования материалов при различных температурах.
Исследование строения и свойств молекул и молекулярных систем, динамики внутри-межмолекулярных обменных процессов, реакционной способности новых классов органических, элементорганических соединений и полимеров в растворах.
Напряженность магнитного поля: 9,4 Тесла
Рабочая частота на 1Н — 400 МГц. Датчик — широкополосный, инверсный с автоматической настройкой и Z-градиентом; 5 мм ампулы Диапазон частот от 109Ag до1Н (18МГц ÷ 400МГц) — 1H, 13С, 15N, 19F, 29Si, 31P, 77Se, 195Pt, и др.
Исследование фазовых равновесий в многоком-понентных системах и кристаллической структуры наноматериалов, в том числе изменение параметров кристаллической решетки при замещении одних атомов на другие.
Чувствительность метода 1-3%. Диап. 10 -0.00001 нм.
