Оборудование
     
     
 
Наименование:
Производитель:
Год выпуска с: по:
Технические характеристики:


Фото Наименование Лаборатория Назначение Технические характеристики
Микрозондовый комплекс LEO1455VP Микрозондовый комплекс LEO1455VP
Лаборатория электронной микроскопии Исследование микроструктуры, морфологии и локального состава материалов (в т.ч. наноматериалов)

Разрешение в высоком вакууме 4 нм, при низком вакууме 5 нм. Ускоряющее напряжение 200В - 30кВ, шаг - 15В. Увеличения в диапазоне 5 - 1 000 000х.

Дифрактометр STOE STADI P Дифрактометр STOE STADI P
Лаборатория рентгеноструктурного анализа Проведение рентгеноструктурного анализа; исследование кристаллической структуры наноматериалов.

Максимальная мощность 3600 Вт, ток трубки 0 - 80 мА, напряжение 10 - 650 кВ. Мин. Шаг 0.0001о, воспроизводимость 0.0005о, длиапазон 2θ: -90о - 140о, в компл. с криостатом замкнутого цикла температурный диапазон 5 - 800К

Спектральный комплекс на базе спектрографа SOLAR TII и монохроматора МДР 12 для исследования оптических свойств наноматериалов Спектральный комплекс на базе спектрографа SOLAR TII и монохроматора МДР 12 для исследования оптических свойств наноматериалов
Лаборатория фотолюминесцентной спектроскопии наноструктур Высокочувствительная система регистрации люминесценции в видимой, ближней и инфракрасной областях спектра для комплексного исследования спектров и кинетик фотолюминесценции (ФЛ) наноматериалов. Монохроматор-спектрограф SOLAR TII (MS 35041): турель с 4 - мя дифракционными решетками, спектральное разрешение - 0.1 нм, дисперсия - 2,37 нм/мм. Монохроматор МДР 12: измерение кинетик ФЛ. Дифракционные решетки 600 ш/мм, 1200 ш/мм. 
Охлаждаемая ПЗС-матрица на видимый диапазон: диапазон чувствительности 0.2 - 1.1 мкм, максимальная квантовая эффек-тивность - 90%, размер матрицы - 1024x122 элементов, размер фоточувствительного элемента 24х24 мкм. InGaAs охлаждаемая ПЗС-матрица: диапазон чувствительности 0.9 - 1.7 мкм, максимальная квантовая эффективность - 70%, размер матрицы - 1024x1 элементов. 
Фотоэлектронный умножитель ИК-диапазона H9170-75: измере-ние кинетик ФЛ. Материал катода InP/InGaAs, диапазон измеряемых длин волн 950 - 1700 нм, временное разрешение 3 нс. Полоса пропускания широкополосного предусилителя 50 МГц.
Фотоэлектронный умножитель видимого диапазона: измерение кинетик ФЛ, диапазон измеряемых длин волн 400 - 900 нм, временное разрешение 1 нс. Гелиевый криостат замкнутого цикла: интервал температур 10-350К. 
Лазеры: азотный - длина волны 337 нм, ширина линии 0.1 нм, энергия в импульсе 400 мкДж, длительность импульса 800 пс. Эксимерный - рабочая смесь KrF, длина волны 248 нм, энергия в импульсе 40 мДж, длительность импульса 10 нс. Аргоновый - длины волн 457, 477, 488, 496, 502, 514 нм, мощности 30, 20, 80, 30, 10, 78 мВт соответственно. На парах меди - энергии фотонов 2.43 эВ и 2.14 эВ, длительность импульса 20 нс, частота 12 кГц, средняя мощность 2.5 Вт. Твердотельный с полупроводниковой накачкой на основе YAG:Nd - длина волны излучения 473 нм, макс. мощность 42 мВт. Полупроводниковый диодный - длина волны излучения 1534,25 нм. Гелий-неоновый - длина волны излучения 633 нм.

Оборудование 81 - 83 из 83
Начало | Пред. | 1 2 3 4 5 | След. | Конец Все
 
     
     


3